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Room-temperature bonding of GaAs//Si and GaN//GaAs wafers with low electrical resistance 期刊论文
APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2018
作者:  Ajima, Yoshiaki;  Nakamura, Yuki;  Murakami, Kenta;  Teramoto, Hideo;  Jomen, Ryota
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Comparative study of the differential resistance of GaAs- and GaN-based laser diodes 期刊论文
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 2016, 卷号: 34, 期号: 4
作者:  Li, X;  Liu, ZS;  Zhao, DG;  Jiang, DS;  Chen, P
收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2017/03/11
GaInP/GaAs tandem solar cells with highly Te- and Mg-doped GaAs tunnel junctions grown by MBE 期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2015, 卷号: 24, 期号: 10, 页码: 7
作者:  Zheng, XH(郑新河);  Liu, SJ;  Xia, Y;  Gan, XY;  Wang, HX
收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2015/12/31
GaAs tunnel junction grown using tellurium and magnesium as dopants by solid-state molecular beam epitaxy 期刊论文
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2014, 卷号: 53, 期号: 2
作者:  Yang, H (杨辉);  Lu, SL (陆书龙)
收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2015/02/03
Saturation of the junction voltage in GaN-based laser diodes 期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2013, 卷号: 102, 期号: 18
作者:  Zhang, SM(张书明);  Li, DY(李德尧);  Zhang, LQ(张立群);  Liu, JP(刘建平);  Yang, H(杨辉)
收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2014/01/15
Time delay in InGaN multiple quantum well laser diodes at room temperature 期刊论文
Chinese Physics B, 2010, 卷号: 19, 期号: 12
作者:  Jin LA(季莲);  Yang H (杨辉);  Zhang ZM (张书明)
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