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浏览/检索结果: 共10条，第1-10条 帮助 限定条件 专题：苏州纳米技术与纳米仿生研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Growth Model of van der Waals Epitaxy of Films: A Case of AlN Films on Multilayer Graphene/SiC 期刊论文 ACS Applied Materials and Interfaces, 2017 作者:  Xu, Yu(徐俞);  Cao, Bing;  Li, Zongyao;  Cai, Demin;  Zhang, Yumin 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2018/02/05 Effects of Si-doping on field emission characteristics of AlN films grown on n-type 6H-SiC by MOCVD 期刊论文 Materials Technology, 2016 作者:  Liang, F.;  Chen, P.;  Zhao, D.G.;  Jiang, D.S.;  Liu, Z.S. 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2017/03/11 Photoelectron spectroscopy study of AlN films grown on n-type 6H-SiC by MOCVD 期刊论文 APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING, 2016, 卷号: 122, 期号: 9 作者:  Liang, F;  Chen, P;  Zhao, DG;  Jiang, DS;  Zhao, ZJ 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2017/03/11 Investigation of breakdown mechanism during field emission process of AlN thin film microscopic cold cathodee 期刊论文 JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 2016, 卷号: 34, 期号: 1 作者:  Liang, F;  Chen, P;  Zhao, DG;  Jiang, DS;  Liu, ZS 收藏  |  浏览/下载：56/0  |  提交时间：2017/03/11 Observation of positive and small electron affinity of Si-doped AlN films grown by metalorganic chemical vapor deposition on n-type 6H-SiC 期刊论文 CHINESE PHYSICS B, 2016, 卷号: 25, 期号: 5 作者:  Liang, F;  Chen, P;  Zhao, DG;  Jiang, DS;  Zhao, ZJ 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2017/03/11 XPS study of impurities in Si-doped AlN film 期刊论文 SURFACE AND INTERFACE ANALYSIS, 2016, 卷号: 48, 期号: 12 作者:  Liang, F;  Chen, P;  Zhao, DG;  Jiang, DS;  Zhao, ZJ 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2017/03/11 Large field emission current from Si-doped AlN film grown by MOCVD on n-type (001) 6H-SiC 期刊论文 CHEMICAL PHYSICS LETTERS, 2016, 卷号: 651 作者:  Liang, F;  Chen, P;  Zhao, DG;  Jiang, DS;  Liu, ZS 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2017/03/11 AlN thin film grown on different substrates by hydride vapor phase epitaxy 期刊论文 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2016, 卷号: 436 作者:  Sun, MS(孙茂松);  Zhang, JC(张纪才);  Huang, J(黄俊);  Wang, JF(王建峰);  Xu, K(徐科) 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2017/03/11 Thin film micro-scaled cold cathode structures of undoped and Si-doped AlN grown on SiC substrate with low turn-on voltage 期刊论文 CHINESE PHYSICS B, 2015, 卷号: 24, 期号: 5, 页码: 5 作者:  Shi, M;  Chen, P;  Zhao, DG;  Jiang, DS;  Zheng, J 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2015/12/31 AlN  field emission  cold cathode  negative electron affinity   石墨烯与宽禁带半导体材料的接触特性研究 学位论文 博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2012 作者:  钟海舰 收藏  |  浏览/下载：256/0  |  提交时间：2012/09/11 石墨烯 宽禁带半导体 肖特基势垒 费米能级 接触 极性 堆垛