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	A facile and reproducible synthesis of non-polar ZnO homojunction with enlarged rectification rate and colorful light emission 期刊论文 JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2019, 卷号: 793, 页码: 295-301 作者: Qi, Lin; Chai, Zhaoyuan; Yang, Huazhe; Shahzad, M. Babar; Qi, Yang 收藏 \| 浏览/下载：79/0 \| 提交时间：2021/02/02 Non-polar preferred orientation Sb-doped ZnO film Homojunction P-type conduction Acceptor-type defects
	A facile and reproducible synthesis of non-polar ZnO homojunction with enlarged rectification rate and colorful light emission 期刊论文 JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2019, 卷号: 793, 页码: 295-301 作者: Qi, Lin; Chai, Zhaoyuan; Yang, Huazhe; Shahzad, M. Babar; Qi, Yang 收藏 \| 浏览/下载：42/0 \| 提交时间：2021/02/02 Non-polar preferred orientation Sb-doped ZnO film Homojunction P-type conduction Acceptor-type defects
	Effects of low doping concentration on interconnected microstructural ZnO : Al thin films prepared by the sol-gel technique 期刊论文 European Physical Journal-Applied Physics, 2006, 卷号: 35, 期号: 3, 页码: 195-200 S. W. Xue; X. T. Zu; X. Xiang; H. Deng; Z. Q. Xu 收藏 \| 浏览/下载：10/0 \| 提交时间：2012/04/14 chemical-vapor-deposition pulsed-laser deposition native point-defects zinc-oxide films electrical-properties optical-properties spray-pyrolysis transparent orientation origin
	Approach for defect suppression and preparation of high quality semi-insulating InP 期刊论文 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2005, 卷号: 275, 期号: 1-2, 页码: E381-E385 作者: Zhao, Y. W.; Dong, Z. Y.; Li, Ch. J. 收藏 \| 浏览/下载：0/0 \| 提交时间：2021/02/02 Point defects Liquid encapsulated Czochralski Indium phosphide Semi-insulating III-V materials
	Deep level defects in high temperature annealed InP 期刊论文 SCIENCE IN CHINA SERIES E-ENGINEERING & MATERIALS SCIENCE, 2004, 卷号: 47, 期号: 3, 页码: 320-326 作者: Dong, ZY; Zhao, YM; Zeng, YP; Duan, ML; Lin, LY 收藏 \| 浏览/下载：0/0 \| 提交时间：2021/02/02 InP defects annealing ambience
	Deep level transient spectroscopic study of neutron-irradiated n-type 6H-SiC 期刊论文 Journal of Applied Physics, 2003, 卷号: 94, 期号: 5, 页码: 3004-3010 X. D. Chen; S. Fung; C. C. Ling; C. D. Beling; M. Gong 收藏 \| 浏览/下载：18/0 \| 提交时间：2012/04/14 6h silicon-carbide positron-annihilation defect centers
	Fe-diffusion-induced defects in InP annealed in iron phosphide ambient 期刊论文 JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS, 2002, 卷号: 41, 期号: 4A, 页码: 1929-1931 作者: Zhao, YW; Dong, HW; Jiao, JH; Zhao, JQ; Lin, LY 收藏 \| 浏览/下载：6/0 \| 提交时间：2021/02/02 indium phosphide annealing semi-insulating defect diffusion
	Fe-diffusion-induced defects in InP annealed in iron phosphide ambient 期刊论文 JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS, 2002, 卷号: 41, 期号: 4A, 页码: 1929-1931 作者: Zhao, YW; Dong, HW; Jiao, JH; Zhao, JQ; Lin, LY 收藏 \| 浏览/下载：11/0 \| 提交时间：2021/02/02 indium phosphide annealing semi-insulating defect diffusion
	Blue emission and Raman scattering spectrum from AlN nanocrystalline powders 期刊论文 Journal of Crystal Growth, 2000, 卷号: 213, 期号: 1-2, 页码: 198-202 Y. G. Cao; X. L. Chen; Y. C. Lan; J. Y. Li; Y. P. Xu; T. Xu; Q. L. Liu; J. K. Liang 收藏 \| 浏览/下载：10/0 \| 提交时间：2012/04/14 wurtzite AlN photoluminescence spectrum Raman scattering spectrum photoluminescence properties gan defects
	DEEP LEVELS IN GAMMA-RAY IRRADIATED N-TYPE AND P-TYPE HYDROGEN-GROWN FLOAT-ZONED SILICON 期刊论文 Journal of Applied Physics, 1992, 卷号: 71, 期号: 3, 页码: 1182-1188 M. H. Yuan; D. C. Peng; Q. Z. Peng; Y. H. Zhang; J. Q. Li; G. G. Qin 收藏 \| 浏览/下载：19/0 \| 提交时间：2012/04/14 crystalline semiconductors defects

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