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科研机构
金属研究所 [8]
内容类型
期刊论文 [8]
发表日期
2018 [2]
2015 [1]
2012 [1]
2010 [1]
2009 [3]
学科主题
Chemistry,... [1]
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Inversion domain boundaries in MoSe2 layers
期刊论文
RSC ADVANCES, 2018, 卷号: 8, 期号: 58, 页码: 33391-33397
作者:
Truong, QD
;
Hung, NT
;
Nakayasu, Y
;
Nayuki, K
;
Sasaki, Y
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2018/12/25
Inversion domain boundaries in MoSe2 layers
期刊论文
RSC ADVANCES, 2018, 卷号: 8, 期号: 58, 页码: 33391-33397
作者:
Quang Duc Truong
;
Nguyen Tuan Hung
;
Nakayasu, Yuta
;
Nayuki, Keiichiro
;
Sasaki, Yoshikazu
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提交时间:2021/02/02
Theoretical investigation of thermodynamic stability and mobility of the intrinsic point defects in Ti(3)AC(2) (A = Si, Al)
期刊论文
Physical Chemistry Chemical Physics, 2015, 卷号: 17, 期号: 14, 页码: 8927-8934
J. M.
;
Liu Wang, B.
;
Wang, J. Y.
;
Zhou, Y. C.
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2015/05/08
radiation tolerance
m(n+1)ax(n) phases
ti3alc2
ti3sic2
irradiation
damage
ti2alc
Mechanism of Intrinsic Point Defects and Oxygen Diffusion in Yttrium Aluminum Garnet: First-Principles Investigation
期刊论文
Journal of the American Ceramic Society, 2012, 卷号: 95, 期号: 11, 页码: 3628-3633
Z. Li
;
B. Liu
;
J. M. Wang
;
L. C. Sun
;
J. Y. Wang
;
Y. C. Zhou
收藏
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2013/02/05
yag ceramics
electronic-structure
optical-properties
elastic
stiffness
melting behavior
ab-initio
polycrystalline
crystals
state
luminescence
Ab initio study of self-diffusion in silicon over a wide temperature range: Point defect states and migration mechanisms
期刊论文
Physical Review B, 2010, 卷号: 81, 期号: 19
S. Y. Ma
;
S. Q. Wang
收藏
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2012/04/13
Atomic-scale studies of native point defect and nonstoichiometry in silicon oxynitride
期刊论文
Journal of Physics and Chemistry of Solids, 2009, 卷号: 70, 期号: 6, 页码: 982-988
B. Liu
;
J. Y. Wang
;
F. Z. Li
;
Q. F. Tong
;
Y. C. Zhou
收藏
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2012/04/13
Ceramics
Defects
Ab initio calculation
Elastic properties
electronic-structure
optical-properties
perovskite oxides
lattice-dynamics
nitride
si2n2o
ceramics
crystals
simulation
derivation
Ab initio calculation of intrinsic diffusion coefficients for boron in silicon at finite temperatures
期刊论文
European Physical Journal B, 2009, 卷号: 72, 期号: 4, 页码: 567-573
S. Y. Ma
;
S. Q. Wang
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2012/04/13
interstitial boron
irradiated silicon
point-defects
phosphorus
si
pseudopotentials
dopants
Influence of Nb doping on oxidation resistance of gamma-TiAl: A first principles study
期刊论文
Acta Physica Sinica, 2009, 卷号: 58, 期号: 6, 页码: S224-S229
H. Li
;
S. Q. Wang
;
H. Q. Ye
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2012/04/13
gamma-TiAl
high temperature oxidation
Nb doping
formation energy
intermetallic alloys
isothermal oxidation
ion-implantation
behavior
surface
temperature
coatings
elements
1st-principles
900-degrees-c
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