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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 专题：兰州大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 10A/600V大功率硅基JBS肖特基二极管的制备 期刊论文 电子器件, 2014, 期号: 6, 页码: 1026-1029 作者:  陈菩祥;  高桦;  李海蓉;  刘肃 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2015/06/24 肖特基二极管  结势垒肖特基二极管  栅条结构  场限环  反向耐压600 V   Si基JBS整流二极管的设计与制备 期刊论文 半导体技术, 2012, 期号: 3, 页码: 180-183 作者:  王朝林;  王一帆;  岳红菊;  刘肃 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2015/04/27 Si基JBS整流二极管  功率肖特基二极管  蜂窝状结构  I-V特性  场限环   300V以上硅基新型JBS肖特基二极管的制备 期刊论文 电子器件, 2011, 期号: 6, 页码: 607-610 作者:  王一帆;  王朝林;  刘肃;  何少博 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2015/04/27 肖特基二极管  击穿电压300V以上  蜂房结构  场限环   BSIT开启特性的研究 期刊论文 兰州大学学报, 1996, 期号: 2, 页码: 9 作者:  李思渊;  刘瑞喜;  李成;  刘肃;  杨建红 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2015/04/27 模拟特性分析  双极型静电感应晶体管   BSIT开态的数值分析 期刊论文 半导体技术, 1996, 期号: 1, 页码: 7 作者:  李思渊;  刘瑞喜;  李成;  韩永召;  刘肃 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2015/04/27 双极模式静电感应晶体管BSIT  数值模拟  开通过程