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浏览/检索结果: 共9条，第1-9条 帮助 限定条件 专题：大连理工大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 等离子体清洗GaAs和Al_2O_3衬底的RHEED图像分析 期刊论文 华中科技大学学报(自然科学版), 2005, 页码: 88-91 作者:  章家岩;  郎佳红;  秦福文;  顾彪 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2020/01/02 电子回旋共振等离子体增强金属有机化学气相沉积  GaN  氢等离子体  氮化   等离子体清洗GaAs和Al2O3衬底的RHEED图像分析 期刊论文 华中科技大学学报（自然科学版）, 2005, 卷号: 33, 页码: 88-91 作者:  章家岩;  郎佳红;  秦福文;  顾彪 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2020/01/02 电子回旋共振等离子体增强金属有机化学气相沉积  GaN  氢等离子体  氮化   在GaAs衬底表面生长GaN过程中的氮化新方法 期刊论文 半导体光电, 2003, 卷号: 24, 页码: 45-47 作者:  刘国涛;  徐茵;  顾彪;  秦福文;  周智猛 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2020/01/02 外延生长  GaN薄膜  反射高能电子衍射   ECR-PEMOCVD法在GaAs(001)衬底上制备GaN量子点 期刊论文 半导体光电, 2002, 卷号: 23, 页码: 114-117 作者:  王三胜;  顾彪;  徐茵;  徐久军;  秦福文 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2020/01/02 ECR-PEMOCVD  量子点  AFM  GaN   用N_2-H_2等离子体氮化GaAs衬底对ECR-PEMOCVD生长立方GaN的影响(英文) 期刊论文 发光学报, 2001, 页码: 24-28 作者:  王三胜;  顾彪;  徐茵;  秦福文;  隋郁 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2020/01/02 ECR-PEMOCVD  氮化  缓冲层  立方GaN  氢等离子体   用N2-H2等离子体氮化GaAs衬底对ECR-PEMOCVD生长立方GaN的影响 期刊论文 发光学报, 2001, 卷号: 22, 页码: 24-28 作者:  王三胜;  顾彪;  徐茵;  秦福文;  隋郁 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2020/01/02 ECR-PEMOCVD  氮化  缓冲层  立方GaN  氢等离子体   GaAs衬底上立方GaN的低温生长 期刊论文 稀有金属, 1998, 卷号: 22, 页码: 143-145 作者:  顾彪;  徐茵;  秦福文;  丛吉远;  张砚臣 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2020/01/02 立方GaN  低温生长  活化氮源  ECR-PAMOCVD   （001）GaAs衬底上异质外延的立方GaN薄膜与界面 期刊论文 半导体学报, 1998, 卷号: 19, 页码: 241 作者:  顾彪;  徐茵;  孙凯;  秦福文 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2020/01/02 GaAs衬底  异质外延  GaN薄膜  界面   Plasma pretreatment of GaAs substrates and ECR-PAMOCVD of cubic GaN 会议论文 2nd International Symposium on Blue Laser and Light Emitting Diodes (2nd ISBLLED), CHIBA, JAPAN 作者:  Gu, B;  Xu, Y;  Qin, FW;  Wang, SS 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2020/01/06