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物理研究所 [8]
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期刊论文 [8]
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2012 [1]
2009 [2]
2008 [3]
2006 [1]
1997 [1]
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Determination of the series resistance under the Schottky contacts of AlGaN/AlN/GaN Schottky barrier diodes
期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2012, 卷号: 21, 期号: 1
Cao, ZF
;
Lin, ZJ
;
Lu, YJ
;
Luan, CB
;
Yu, YX
;
Chen, H
;
Wang, ZG
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2013/09/17
BREAKDOWN VOLTAGE
GAN
Numerical analysis of the transport processes in manganite-titanate Schottky junctions
期刊论文
APPLIED SURFACE SCIENCE, 2009, 卷号: 255, 期号: 12, 页码: 6262
Han, P
;
Jia, JF
;
He, M
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2013/09/24
NB-DOPED SRTIO3
BARRIER DIODES
HETEROJUNCTION
PROPERTY
Effect of Schottky barrier on the transport property in perovskite oxide heterostructures
期刊论文
PHYSICA B-CONDENSED MATTER, 2009, 卷号: 404, 期号: 8-11, 页码: 1332
Han, P
;
Lu, HB
;
Jin, KJ
;
Jia, JF
;
Qiu, J
;
Hu, CL
;
Liao, L
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2013/09/17
P-N-JUNCTION
SRTIO3
DIODE
HETEROJUNCTION
Rectifying effect of heterojunctions between metals and doped conducting polymer nanostructure pellets
期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2008, 卷号: 17, 期号: 7, 页码: 2707
Long, YZ
;
Yin, ZH
;
Hui, W
;
Chen, ZJ
;
Wan, MX
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2013/09/24
TEMPLATE-FREE METHOD
NANOTUBULAR POLYANILINE
ELECTRICAL-CONDUCTIVITY
SCHOTTKY-BARRIER
POROUS SILICON
POLYPYRROLE
POLYACETYLENE
FABRICATION
DIODES
Synthesis and characterization of hydrocarbon coating prepared by in situ electron beam deposition on ZnSe nanowire
期刊论文
JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY C, 2008, 卷号: 112, 期号: 20, 页码: 7572
Wang, YG
;
Zuo, BS
;
Wang, TH
;
Wang, N
;
Luo, ZC
;
Li, DR
;
Zhou, SX
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浏览/下载:23/0
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提交时间:2013/09/24
DIAMOND-LIKE CARBON
AMORPHOUS-CARBON
MAGNETIC-PROPERTIES
FIELD-EMISSION
FILMS
FABRICATION
ABSORPTION
CONDUCTION
NANOTUBES
DIODES
I-V Characteristics of Metal-Oxide-ZnSe Nanowire Structure
期刊论文
JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY C, 2008, 卷号: 112, 期号: 47, 页码: 18644
Zhou, SX
;
Wang, YG
;
Han, W
;
Wang, N
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2013/09/18
SCHOTTKY DIODES
CONTACTS
LASERS
FILMS
Electrical characteristics of amorphous carbon nanotube and effects of contacts
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2006, 卷号: 88, 期号: 6
Hu, YF
;
Liang, XL
;
Chen, Q
;
Peng, LM
;
Hu, ZD
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提交时间:2013/09/17
FIELD-EFFECT TRANSISTORS
SCHOTTKY DIODES
Influence of plasma gas and postcleaning on the electrical characteristics of plasma-exposed Al/n-Si Schottky diodes
期刊论文
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 1997, 卷号: 15, 期号: 2, 页码: 232
Kuroda, T
;
Lin, ZD
;
Iwakuro, H
;
Sato, S
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提交时间:2013/09/17
DAMAGE
SILICON
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