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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 专题：物理研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Effect of nitridation on the growth of GaN on ZrB2 (0001)/Si(111) by molecular-beam epitaxy 期刊论文 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2006, 卷号: 100, 期号: 3 Wang, ZT; Yamada-Takamura, Y; Fujikawa, Y; Sakurai, T; Xue, QK; Tolle, J; Kouvetakis, J; Tsong, IST 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2013/09/17 VAPOR-PHASE EPITAXY  GROUP-III NITRIDES  BUFFER LAYER  SUBSTRATE  ZRB2(0001)  SI(111)  SURFACE   Surface and interface studies of GaN epitaxy on Si(111) via ZrB2 buffer layers 期刊论文 PHYSICAL REVIEW LETTERS, 2005, 卷号: 95, 期号: 26 Yamada-Takamura, Y; Wang, ZT; Fujikawa, Y; Sakurai, T; Xue, QK; Tolle, J; Liu, PL; Chizmeshya, AVG; Kouvetakis, J; Tsong, IST 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2013/09/24 TOTAL-ENERGY CALCULATIONS  LIGHT-EMITTING-DIODES  GROUP-III NITRIDES  WAVE BASIS-SET  GAN(000(1)OVER-BAR) SURFACE  GROWTH  ZRB2(0001)  POLARITY  SI