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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 专题：兰州理工大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Source/Drain Engineered Charge-Plasma Junctionless Transistor for the Immune of Line Edge Roughness Effect 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2018, 卷号: 65, 期号: 5, 页码: 1873-1879 作者:  Wan, Wenbo;  Lou, Haijun;  Xiao, Ying;  Lin, Xinnan 收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2019/11/15 Charge-plasma  charge-plasma junctionless transistor (CP-JLT)  line edge roughness (LER)  variation   The immunity of doping-less junctionless transistor variations including the line edge roughness 会议论文 Hong Kong, Hong kong, August 3, 2016 - August 5, 2016 作者:  Wan, Wenbo 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2020/11/15 Etching  Semiconductor doping  Transistors  Charge plasmas  Electrical characteristic  Etching process  Junctionless  Junctionless transistors  Line Edge Roughness  ON/OFF current ratio  variation   The Immunity of Doping-less Junctionless Transistor Variations Including the Line Edge Roughness 会议论文 作者:  Wan, Wenbo;  Lou, Haijun;  Xiao, Ying;  Lin, Xinnan 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/11/15 charge-plasma  Junctionless  LER  variation