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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 专题：北京大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Protect Non-volatile Memory from Wear-out Attack based on Timing Difference of Row Buffer Hit/Miss 其他 2017-01-01 Mao, Haiyu; Zhang, Xian; Sun, Guangyu; Shu, Jiwu 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2017/12/03 PHASE-CHANGE MEMORY  LIFETIME   SPMS: Strand based Persistent Memory System 其他 2017-01-01 Li, Shuo; Wang, Peng; Xiao, Nong; Sun, Guangyu; Liu, Fang 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2017/12/03 Pseudo-Differential Sensing Framework for STT-MRAM: A Cross-Layer Perspective 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON COMPUTERS, 2017 Kang, Wang; Chang, Liang; Wang, Zhaohao; Lv, Weifeng; Sun, Guanyu; Zhao, Weisheng 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2017/12/03 Asymmetric sensing  dynamic write power  read reliability  STT-MRAM  MEMORY  CIRCUIT  BENCHMARKING  PERFORMANCE  TECHNOLOGY  DEVICES  STORAGE  DESIGN  CACHES  ENERGY   Exploring Main Memory Design Based on Racetrack Memory Technology 其他 2016-01-01 Hu, Qingda; Sung, Guangyu; Shu, Jiwu; Zhang, Chao 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2017/12/03 Main Memory  Racetrack  Shifts  Performance  Energy   Statistical Cache Bypassing for Non-Volatile Memory 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON COMPUTERS, 2016 Sun, Guangyu; Zhang, Chao; Li, Peng; Wang, Tao; Chen, Yiran 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2017/12/03 Statistics  bypass  asymmetric-access cache  data reuse count  TECHNOLOGIES  ARCHITECTURE  PERFORMANCE  STORAGE  MRAM   An organic-inorganic hybrid perovskite logic gate for better computing 期刊论文 JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY C, 2015 Lin, Guoming; Lin, Yuanwei; Cui, Rongli; Huang, Huan; Guo, Xihong; Li, Cheng; Dong, Jinquan; Guo, Xuefeng; Sun, Baoyun 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2017/12/03 RESISTIVE SWITCHING MEMORIES  NONVOLATILE MEMORY  MEMRISTIVE DEVICES  SOLAR-CELLS  PHOTODETECTORS  HETEROACENE   Thermally robust Mo/CoFeB/MgO trilayers with strong perpendicular magnetic anisotropy 期刊论文 scientific reports, 2014 Liu, T.; Zhang, Y.; Cai, J. W.; Pan, H. Y. 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2015/11/11 RANDOM-ACCESS MEMORY  TUNNEL-JUNCTION  FILMS  MAGNETORESISTANCE  DEVICE