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科研机构
北京大学 [7]
内容类型
期刊论文 [7]
发表日期
2014 [1]
2012 [1]
2005 [1]
1996 [1]
1988 [1]
1984 [1]
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SOI高压器件热载流子退化研究
期刊论文
北京大学学报 自然科学版, 2014
韩临
;
何燕冬
;
张钢刚
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2015/11/11
高压横向扩散场效应晶体管
多区域直流电压电流技术
界面态
热载流子退化
high voltage LDMOSFET
MR-DCIV technique
interface state
hot carrier degradation
多层交替沉积后退火处理MgB_2超导薄膜上约瑟夫森结的制备
期刊论文
http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=KXTB201207003&dbname=CJFQTEMP, 2012, 2012
邓辉
;
戴倩
;
于海峰
;
魏彦锋
;
王福仁
;
任建坤
;
崔丽敏
;
吴玉林
;
赵士平
;
陈莺飞
;
李洁
;
郑东宁
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2017/06/16
多层交替沉积后
退火
MgB2
薄膜
聚焦离子束刻蚀
约瑟夫森结
基于DPA426型电路的同步整流开关电源
期刊论文
电子元器件应用, 2005
朱兴动
;
张六韬
;
王正
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浏览/下载:1/0
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提交时间:2015/11/12
开关电源
同步整流
高频变压器
功能模块
电流源
旁路电容器
功率开关
电压源
外围电路简单
DPA426
适于器件及电路分析的全耗尽短沟道LDD/LDS SOI MOSFET器件模型
期刊论文
电子学报, 1996
奚雪梅
;
王阳元
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浏览/下载:1/0
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提交时间:2015/11/11
LDD/LDS结构
SOI-MOSFET器件模型
WSi_x/n-GaAs肖特基势垒特性研究
期刊论文
固体电子学研究与进展, 1988
李晓光
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提交时间:2015/11/11
肖特基势垒
复合靶
化学配比
高温退火
子谱
淀积
样品结果
卢瑟福背散射
电流电压
WSi_x/n-GaAs
利用MOS恒流电压瞬态特性测定半导体少子的体产生寿命及表面产生速度
期刊论文
北京大学学报 自然科学版, 1984
许铭真
;
谭长华
;
李树栋
;
陈文茹
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提交时间:2015/11/13
表面势
少子
瞬态特性
总电流
平带电压
氧化层
晶向
型态
实验曲线
MOS
PN结电路的图解分析法
期刊论文
电视大学, 1983
陈诗闻
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提交时间:2015/10/24
发射结
正向电压
PN结
反向电流
伏安特性曲线
整流电流
交流电压
直流电压
负载电阻
二级管
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