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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 专题：北京大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 一种应用于电力电子开关的常关型AlGaN/GaN混合型MOSFET器件 其他 2013-01-01 林书勋; 王茂俊; 王野; 张川; 文正; 王金延; 郝一龙 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2015/11/12 AlGaN/GaN异质结 常关型 低损伤刻蚀 击穿电压   基于硅衬底氮化镓材料的MEMS微结构加工工艺 其他 2009-01-01 吕佳楠; 杨振川; 闫桂珍; 陈敬 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2015/11/12 氮化镓 微结构 加工工艺 干法刻蚀 悬浮结构   薄膜SOIMOSFET浮体效应的抑制优化研究 期刊论文 半导体学报, 1996 奚雪梅; 王阳元 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2015/11/11 浮体效应  少子  击穿电压  缺陷工程  硅膜  工艺设计  双极晶体管  物理模型  阈值电压  SOIMOSFET   全耗尽SOI nMOSFET的浮体效应物理模型 期刊论文 半导体学报, 1996 奚雪梅; 王阳元 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2017/12/03 全耗尽SOI  浮体效应  nMOSFET