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科研机构
厦门大学 [4]
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期刊论文 [4]
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2009 [3]
1992 [1]
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Room temperature photoluminescence of tensile-strained Ge/Si013Ge087 quantum wells grown on silicon-based germanium virtual substrate
期刊论文
http://dx.doi.org/10.1063/1.3114408, 2009
Chen, YH
;
Li, C
;
Zhou, ZW
;
Lai, HK
;
Chen, SY
;
Ding, WC
;
Cheng, BW
;
Yu, YD
;
李成
;
陈松岩
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提交时间:2015/07/22
chemical vapour deposition
elemental semiconductors
energy gap
germanium
Ge-Si alloys
photoluminescence
semiconductor epitaxial layers
semiconductor quantum wells
silicon
tensile strength
Room temperature photoluminescence of tensile-strained Ge/Si013Ge087 quantum wells grown on silicon-based germanium virtual substrate
期刊论文
http://dx.doi.org/10.1063/1.3114408, 2009
Chen, Y. H.
;
Li, C.
;
Zhou, Z. W.
;
Lai, H. K.
;
Chen, S. Y.
;
Ding, W. C.
;
Cheng, B. W.
;
Yu, Y. D.
;
陈松岩
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提交时间:2013/12/12
chemical vapour deposition
elemental semiconductors
energy gap
germanium
Ge-Si alloys
photoluminescence
semiconductor epitaxial layers
semiconductor quantum wells
silicon
tensile strength
Room temperature photoluminescence of tensile-strained Ge/Si013Ge087 quantum wells grown on silicon-based germanium virtual substrate
期刊论文
http://dx.doi.org/10.1063/1.3114408, 2009
Chen, YH
;
Li, C
;
Zhou, ZW
;
Lai, HK
;
Chen, SY
;
Ding, WC
;
Cheng, BW
;
Yu, YD
;
李成
收藏
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提交时间:2013/12/12
chemical vapour deposition
elemental semiconductors
energy gap
germanium
Ge-Si alloys
photoluminescence
semiconductor epitaxial layers
semiconductor quantum wells
silicon
tensile strength
THEORETICAL CALCULATION OF THE OPTICAL-PHONON DEFORMATION POTENTIALS ON THE LAMBDA-AXIS IN THE BRILLOUIN-ZONE FOR TETRAHEDRAL SEMICONDUCTORS
期刊论文
http://dx.doi.org/10.1088/0953-8984/4/32/008, 1992
Wang, R. Z.
;
Ke, S. H.
;
Huang, M. C.
;
黄美纯
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提交时间:2013/12/12
ABINITIO PSEUDOPOTENTIAL CALCULATIONS
ZINCBLENDE SEMICONDUCTORS
STRESSES
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