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科研机构
半导体研究所 [4]
内容类型
期刊论文 [4]
发表日期
2011 [2]
1993 [1]
1991 [1]
学科主题
半导体物理 [2]
半导体材料 [1]
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内容类型:期刊论文
专题:半导体研究所
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Investigation of structural and optical anisotropy of m-plane inn films grown on gamma-lialo2(100) by metal organic chemical vapour deposition
期刊论文
Journal of physics d-applied physics, 2011, 卷号: 44, 期号: 24, 页码: 5
作者:
Fu, D.
;
Zhang, R.
;
Liu, B.
;
Xie, Z. L.
;
Xiu, X. Q.
收藏
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2019/05/12
Investigation of structural and optical anisotropy of m-plane InN films grown on gamma-LiAlO2(100) by metal organic chemical vapour deposition
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2011, 卷号: 44, 期号: 24, 页码: article no.245402
Fu D
;
Zhang R
;
Liu B
;
Xie ZL
;
Xiu XQ
;
Gu SL
;
Lu H
;
Zheng YD
;
Chen YH
;
Wang ZG
收藏
  |  
浏览/下载:36/2
  |  
提交时间:2011/07/05
FUNDAMENTAL-BAND GAP
INDIUM NITRIDE
BUFFER LAYER
DEPENDENCE
SAPPHIRE
MOCVD
OPTICAL CHARACTERISTICS OF GAAS/ALGAAS RIDGE-QUANTUM-WELL-WIRES GROWN BY MBE ON NONPLANAR SUBSTRATES
期刊论文
solid state communications, 1993, 卷号: 87, 期号: 4, 页码: 285-288
QIAN Y
;
CHEN LH
;
WANG QM
收藏
  |  
浏览/下载:32/0
  |  
提交时间:2010/11/15
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
HETEROSTRUCTURES
LASERS
EFFECTIVE-MASS THEORY FOR SUPERLATTICES GROWN ON (11N)-ORIENTED SUBSTRATES
期刊论文
physical review b, 1991, 卷号: 43, 期号: 12, 页码: 9856-9864
XIA JB
收藏
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2010/11/15
QUANTUM-WELL STRUCTURES
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
GAAS
ORIENTATION
TRANSITIONS
GAP
MBE
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