×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
新疆理化技术研究所 [6]
内容类型
期刊论文 [6]
发表日期
2019 [2]
2018 [1]
2016 [1]
2015 [2]
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共6条,第1-6条
帮助
限定条件
内容类型:期刊论文
专题:新疆理化技术研究所
第一署名单位
第一作者单位
通讯作者单位
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
体效应对超深亚微米SOI器件总剂量效应的影响
期刊论文
电子学报, 2019, 卷号: 47, 期号: 5, 页码: 1065-1069
作者:
席善学
;
陆妩
;
郑齐文
;
崔江维
;
魏莹
收藏
  |  
浏览/下载:33/0
  |  
提交时间:2019/06/21
总剂量效应
绝缘体上硅
体效应
浅沟槽隔离
体效应对超深亚微米SOI器件总剂量效应的影响
期刊论文
电子学报, 2019, 卷号: 47, 期号: 5, 页码: 1065-1069
作者:
席善学
;
陆妩
;
郑齐文
;
崔江维
;
魏莹
收藏
  |  
浏览/下载:42/0
  |  
提交时间:2020/03/19
总剂量效应
绝缘体上硅
体效应
浅沟槽隔离
γ射线辐照对130 nm部分耗尽SOI MOS器件栅氧经时击穿可靠性的影响
期刊论文
红外与激光工程, 2018, 卷号: 47, 期号: 9, 页码: 214-219
作者:
马腾
;
苏丹丹
;
周航
;
郑齐文
;
崔江维
收藏
  |  
浏览/下载:25/0
  |  
提交时间:2018/10/18
场效应晶体管
可靠性
栅氧经时击穿
Γ射线
总剂量效应致0.13μm部分耗尽绝缘体上硅N型金属氧化物半导体场效应晶体管热载流子增强效应
期刊论文
物理学报, 2016, 卷号: 65, 期号: 9, 页码: 242-249
作者:
周航
;
郑齐文
;
崔江维
;
余学峰
;
郭旗
;
任迪远
;
余德昭
;
苏丹丹
;
郭旗
;
余学峰
收藏
  |  
浏览/下载:118/0
  |  
提交时间:2016/06/02
绝缘体上硅
电离辐射
热载流子
电离辐射对部分耗尽绝缘体上硅器件低频噪声特性的影响
期刊论文
物理学报, 2015, 卷号: 64, 期号: 7, 页码: 393-398
作者:
刘远
;
陈海波
;
何玉娟
;
王信
;
岳龙
收藏
  |  
浏览/下载:26/0
  |  
提交时间:2015/06/26
绝缘体上硅
部分耗尽
电离辐射
低频噪声
电离辐射环境下的部分耗尽绝缘体上硅n型金属氧化物半导体场效应晶体管可靠性研究
期刊论文
物理学报, 2015, 卷号: 64, 期号: 8, 页码: 250-256
作者:
周航
;
崔江维
;
郑齐文
;
郭旗
;
任迪远
收藏
  |  
浏览/下载:21/0
  |  
提交时间:2015/06/26
可靠性
绝缘体上硅n型金属氧化物半导体场效应晶体管
总剂量效应
电应力
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace