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浏览/检索结果: 共15条，第1-10条 帮助 限定条件 内容类型：期刊论文    专题：西安交通大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Ⅰ-型笼合物Ba8Ga16Ge30笼的应变声子谱 期刊论文 山西大学学报（自然科学版）, 2018, 页码: 533-537 作者:  宋阳;  苏耀恒;  夏明岗;  程琳;  吕正 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/11/19 Ba8Ga16Ge30  声子  应变   应变P型SI_(1-X)GE_X层中补偿浅能级杂质的低温陷阱效应 期刊论文 微电子学, 1998, 期号: 3, 页码: 64-67 作者:  张万荣;  罗晋生;  李志国;  穆甫臣;  郭伟玲 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2020/01/07 半导体  应变层  SIGE器件  陷阱效应  HBT   GE_XSI_(1-X)/SI应变超晶格PIN探测器的研制 期刊论文 半导体学报, 1998, 期号: 8, 页码: 38-43 作者:  万建军;  李国正;  李娜;  许雪林;  刘恩科 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2020/01/07 应变超晶格  外量子效率  PIN探测器   应变SI_(1-X)GE_X层材料和SI/SI_(1-X)GE_X器件物理参数模型 期刊论文 半导体技术, 1998, 期号: 3, 页码: 46-52 作者:  张万荣;  李志国;  郭伟玲;  孙英华;  穆甫臣 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2020/01/07 有效态密度  SI_(1－X)GE_X应变层  物理参数   1.3μM和1.55μM SI_(1-X)GE_X波长信号分离器与SI_(1-X)GE_X/SI应变超晶格探测器的集成 期刊论文 半导体学报, 1998, 期号: 2, 页码: 36-43 作者:  李宝军;  李国正;  刘恩科 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2020/01/07 应变超晶格  红外探测器  优化设计  波长信号分离器  有效吸收系数   SI/GE应变层超晶格的椭偏光谱 期刊论文 光学学报, 1997, 期号: 7, 页码: 39-42 作者:  张瑞智;  罗晋生 收藏  |  浏览/下载：0/0  |  提交时间：2020/01/07 超晶格  介电函数  椭偏光谱   GE_(0.6)SI_(0.4)/SI 应变超晶格光电探测器中的光场分析 期刊论文 西安交通大学学报, 1997, 期号: 8, 页码: 31-35 作者:  李国正;  刘淑平;  张浩 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2020/01/07 超晶格  探测器  锗硅   P型SI_(1－X)GE_X应变层中重掺杂禁带窄变的计算 期刊论文 电子学报, 1997, 期号: 8, 页码: 90-92 作者:  吴文刚;  江德生;  罗晋生 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2020/01/07 重掺杂  能带结构  锗硅合金  应变   应变SI_(1－X)GE_X层本征载流子浓度和有效态密度的解析计算 期刊论文 固体电子学研究与进展, 1996, 期号: 4, 页码: 314-318 作者:  张万荣;  曾峥;  罗晋生 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2020/01/07 有效态密度  应变  本征载流子浓度  硅锗合金   P型SI_(1-X)GE_X应变层中重掺杂禁带窄变的计算 期刊论文 电子科学学刊, 1996, 期号: 6, 页码: 638-643 作者:  吴文刚;  张万荣;  江德生;  罗晋生 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2020/01/07 重掺杂  能带结构  锗硅合金  应变