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| 碳化硅功率MOSFET的工作状态对电离辐射损伤特性的影响研究 学位论文 中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2021 作者: 杨圣
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| 不同LET粒子对商用GaN功率器件可靠性的影响 学位论文 中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2020 作者: 陈思远
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| 背照式CMOS图像传感器的累积辐射效应研究 学位论文 中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2020 作者: 张翔
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| 典型双极模拟电路ELDRS与SET协同效应研究 学位论文 中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2020 作者: 姚帅
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| 22nm体硅FinFET总剂量效应及热载流子可靠性研究 学位论文 中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2020 作者: 王保顺
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| 稀氮(Ga(In)AsN)材料的位移损伤效应研究 学位论文 中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2020 作者: 雷琪琪
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| 空间辐射环境下 SiC MOSFET 的栅氧可靠性研究 学位论文 中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2020 作者: 梁晓雯
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| 极端辐射环境下双晶体管的剂量率效应研究 学位论文 北京: 中国科学院大学, 2019 作者: 刘默寒
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| 130nm部分耗尽绝缘体上硅工艺晶体管总剂量效应及模型研究 学位论文 中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2019 作者: 席善学
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:16/0  |  提交时间:2019/07/15
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| 辐射对HgCdTe红外器件暗电流特性的影响研究 学位论文 中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2019 作者: 王志铭
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:17/0  |  提交时间:2019/07/15
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