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Effects of Shell Strain on Valence Band Structure and Transport Properties of Ge/Si1-xGex Core-Shell Nanowire 外文期刊
2010
作者:  Zhao, YN;  Xu, HH;  Du, G;  Liu, XY;  Fan, C
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New Ti-SALICIDE process using Sb and Ge preamorphization for sub-o.2 mu m CMOS technology 外文期刊
1998
作者:  Xu, QX;  Hu, CM
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