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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 内容类型：外文期刊     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Finite-element study of strain field in strained-Si MOSFET 外文期刊 2009 作者:  Liu, HH;  Xu, QX;  Duan, XF 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2010/11/26 Beam Electron-diffraction  Hole Mobility Enhancement  Elastic Relaxation  Layer Superlattices  Effect Transistors  Cmos Performance  Silicon  Specimens  Pmosfets   Quasi-SOI MOSFETs - A promising bulk device candidate for extremely scaled era 外文期刊 2007 作者:  Tian, Y;  Xiao, H;  Huang, R;  Feng, C;  Chan, M 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2010/11/26 Cmos Devices   A short-channel SOI RF power LDMOS technology with TiSi2 salicide on dual sidewalls with cutoff frequency f(T) similar to 19.3 GHz 外文期刊 2006 作者:  Yang, R;  Li, JF;  Qian, H;  Lo, GQ;  Balasubramanian, N 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2010/11/26 Thin-film Soi  Device  Mosfet  Cmos  Silicon  Performance  Analog   New Ti-SALICIDE process using Sb and Ge preamorphization for sub-o.2 mu m CMOS technology 外文期刊 1998 作者:  Xu, QX;  Hu, CM 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2010/11/26 Thin-films  Tisi2  Silicon  Transformation  Phase  Agglomeration  Resistance  Stability  Devices