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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 内容类型：其他     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Uniformity improvement of Al-doped HfO2 resistive switching memory devices using a novel diffusion approach 其他 2013-01-01 Zhang, Weibing; Yu, Di; Zhang, Feifei; Liu, Rui; Chen, Bing; Liu, Lifeng; Han, Dedong; Kang, Jinfeng 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2015/11/13 Oxide-based RRAM: Uniformity improvement using a new material-oriented methodology 其他 2009-01-01 Gao, B.; Zhang, H.W.; Yu, S.; Sun, B.; Liu, L.F.; Liu, X.Y.; Wang, Y.; Han, R.Q.; Kang, J.F.; Yu, B.; Wang, Y.Y. 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2017/12/03 Effects of Ionic Doping on the Behaviors of Oxygen Vacancies in HfO(2) and ZrO(2): A First Principles Study 其他 2009-01-01 Zhang, Haowei; Gao, Bin; Yu, Shimeng; Lai, Lin; Zeng, Lang; Sun, Bing; Liu, Lifeng; Liu, Xiaoyan; Lu, Jing; Han, Ruqi; Kang, Jinfeng 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2015/11/13 Hafnium Oxide  Zirconium Oxide  First Principles Calculation  Ionic Doping Effect  Oxygen Vacancy   Oxide-Based RRAM: Uniformity Improvement Using A New Material-Oriented Methodology 其他 2009-01-01 Gao, B.; Zhang, H. W.; Yu, S.; Sun, B.; Liu, L. F.; Liu, X. Y.; Wang, Y.; Han, R. Q.; Kang, J. F.; Yu, B.; Wang, Y. Y. 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2015/11/13 RRAM  uniformity  resistive switching