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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 内容类型：其他     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Characteristic research of Zinc Oxide based thin film transistor by ALD technology 其他 2016-01-01 Yukun Yang; Dedong Han; Guodong Cui; Wen Yu; Huijin Li; Junchen Dong; Xing Zhang; Yi Wang; Shengdong Zhang 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2017/12/03 transistor  Zinc  saturation  annealing  swing  prepare  characters  conductive  photoelectric  doping  transistor  Zinc  saturation  annealing  swing  prepare  characters  conductive  photoelectric  doping   Atomic layer deposition of high-quality HFO2 film on graphene using low energy electron beam pretreatment 其他 2014-01-01 Ye, Qing; Chen, Shen; Jia, Yuehui; Guo, Jian; Ren, Liming; Fu, Yunyi; Huang, Ru; Zhang, Xing 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2015/11/13 High-isolation lateral RF MEMS capacitive switch based on HfO2 dielectric for high frequency applications 其他 2012-01-01 He, X. J.; Lv, Z. Q.; Liu, B.; Li, Z. H. 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2015/11/10 Lateral switch  Electrothermal-actuation  RF MEMS  Capacitive switch  ALD process  POLYSILICON  CONTACT   Electrothermally actuated RF MEMS capacitive switch with atomic layer deposited (ALD) dielectrics 其他 2011-01-01 He, X.J.; Lv, Z.Q.; Liu, B.; Li, Z.H. 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2015/11/13 Enhanced device performance of AlGaN/GaN HEMTs using thermal oxidation of electron-beam deposited Aluminum for gate oxide 其他 2008-01-01 Chen, Hongwei; Wang, Jinyan; Xu, Chuan; Yu, Min; Fu, Yang; Dong, Zhihua; Xu, Fujun; Hao, Yilong; Wen, Cheng P. 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2015/11/13 AlGaN/GaN MOS-HEMTs  leakage current  thermal oxidation  electron-beam evaporation  FIELD-EFFECT TRANSISTORS  AL2O3