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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 内容类型：其他    专题：北京大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Hole mobility in InSb-based devices: Dependence on surface orientation, body thickness, and strain 其他 2015-01-01 Chang, Pengying; Liu, Xiaoyan; Zeng, Lang; Du, Gang 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2017/12/03 Surface orientation  Strain  Hole mobility  InSb  III-V semiconductor  Modeling  V COMPOUND SEMICONDUCTORS  DEFORMATION POTENTIALS  INVERSION-LAYERS   Defect Current and Defect Band Conduction of Ultrathin Oxides after Degradation and Breakdown 其他 2008-01-01 Xu, Mingzhen; Tan, Changhua 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2015/11/13 SILICON  LAYERS   Model analysis and parameter extraction for MOS capacitor including quantum mechanical effects 其他 2006-01-01 Jiang, HY; Zhang, PW 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2015/11/16 Poisson equation  Schrodinger equation  MOS capacitor  quantum effect  sensitivity  parameter extraction  DEVICES  OXIDES  LAYERS   XPS, AES and LEED studies of Cu deposited on Cr2O3(0001) surfaces 其他 1996-01-01 Guo, QL; Gui, LL; Moller, PJ; Binau, K 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2015/11/12 GROWTH  CR2O3(111)/CR(110)  ALPHA-AL2O3(0001)  FILMS