×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
半导体研究所 [2]
兰州理工大学 [1]
高能物理研究所 [1]
内容类型
会议论文 [4]
发表日期
2020 [1]
2013 [1]
2004 [1]
2000 [1]
学科主题
半导体材料 [1]
半导体物理 [1]
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共4条,第1-4条
帮助
限定条件
内容类型:会议论文
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
Flexoelectricity-induced retention failure in ferroelectric films
会议论文
作者:
Zou, M.J.
;
Tang, Y.L.
;
Zhu, Y.L.
;
Wang, Y.J.
;
Feng, Y.P.
收藏
  |  
浏览/下载:6/0
  |  
提交时间:2020/12/18
Atoms
Ferroelectricity
High resolution transmission electron microscopy
Polarization
Scanning electron microscopy
StrainAntiphase domains
Experimental evidence
Ferroelectric domains
Ferroelectric memory
Piezoelectric force microscopy
Reciprocal space mapping
Retention properties
Scanning transmission electron microscopy
Reciprocal Space XRD Mapping with Varied Incident Angle as a Probe of Structure Variation within Surface Depth
会议论文
International Conference on RF Superconductivity 2013 16th, Paris, 2013
作者:
X.Zhao
收藏
  |  
浏览/下载:16/0
  |  
提交时间:2016/07/06
Structural and optical properties of GaAsSb/GaAs heterostructure quantum wells
会议论文
international conference on materials for advanced technologies, singapore, singapore, dec 07-12, 2003
作者:
Zhang YH
;
Jiang DS
收藏
  |  
浏览/下载:11/0
  |  
提交时间:2010/11/15
molecular beam epitaxy
quantum wells
GaAsSb/GaAs
GAAS
LASERS
GAIN
The content calculation of hexagonal phase inclusions in cubic GaN films on GaAs(001) substrates grown by metalorganic chemical vapor deposition
会议论文
1st asian conference on chemical vapour deposition, shanghai, peoples r china, may 10-13, 1999
Sun XL
;
Wang YY
;
Yang H
;
Li JB
;
Zheng LX
;
Xu DP
;
Wang ZG
收藏
  |  
浏览/下载:13/0
  |  
提交时间:2010/11/15
metalorganic chemical vapor deposition
cubic GaN
hexagonal phase content
4-circle X-ray double crystal diffraction
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
GALLIUM NITRIDE
THIN-FILMS
SILICON
GAAS
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace