×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
山东大学 [1]
半导体研究所 [1]
内容类型
会议论文 [2]
发表日期
2005 [1]
2003 [1]
学科主题
半导体材料 [1]
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共2条,第1-2条
帮助
限定条件
内容类型:会议论文
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
Growth, defects, conductivity and other properties of Ga:KTiOPO4 and Ce:KTiOPO4 crystals
会议论文
Proceedings of the 14th International Conference on Crystal Growth and the 12th Internatioanl Conference on Vapor Growth and Epitaxy
作者:
Zhang, J. X.
;
Wang, J. Y.
;
Hu, X. B.
;
Zang, H. J.
;
Wang, X. X.
收藏
  |  
浏览/下载:4/0
  |  
提交时间:2019/12/31
Growth from melt
Nonlinear optic materials
Phosphates
Top seeded
solution growth
Characterization
Defects
Effects and numerical analysis of argon gas flow on the oxygen concentration in Czochralski silicon single crystal growth
会议论文
iumrs/icem 2002 conference, xian, peoples r china, jun 10-14, 2002
Zhang ZC
;
Ren BY
;
Chen YH
;
Yang SY
;
Wang ZG
收藏
  |  
浏览/下载:28/0
  |  
提交时间:2010/11/15
Czochralski method
growth from melt
semiconductor silicon
argon gas flow
computer simulation
oxygen content
FURNACE PRESSURE
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace