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科研机构
兰州理工大学 [2]
西安交通大学 [1]
华南理工大学 [1]
内容类型
会议论文 [4]
发表日期
2016 [2]
2009 [1]
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The immunity of doping-less junctionless transistor variations including the line edge roughness
会议论文
Hong Kong, Hong kong, August 3, 2016 - August 5, 2016
作者:
Wan, Wenbo
;
Lou, Haijun
;
Xiao, Ying
;
Lin, Xinnan
收藏
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浏览/下载:24/0
  |  
提交时间:2020/11/15
Etching
Semiconductor doping
Transistors
Charge plasmas
Electrical characteristic
Etching process
Junctionless
Junctionless transistors
Line Edge Roughness
ON/OFF current ratio
variation
The Immunity of Doping-less Junctionless Transistor Variations Including the Line Edge Roughness
会议论文
作者:
Wan, Wenbo
;
Lou, Haijun
;
Xiao, Ying
;
Lin, Xinnan
收藏
  |  
浏览/下载:14/0
  |  
提交时间:2019/11/15
charge-plasma
Junctionless
LER
variation
Characterization of Sidewall Roughness for Silicon Microstructures in Micro-actuators
会议论文
作者:
Han, Guoqiang
;
Jiang, Zhuangde
;
Jing, Weixuan
;
Gao, Jianzhong
收藏
  |  
浏览/下载:1/0
  |  
提交时间:2019/12/18
Line edge roughness (LER)
SEM
Micro-actuator
MEMS
Sidewall roughness
A Generalized Model to Predict Fin-Width Roughness Induced FinFET Device Variability Using the Boundary Perturbation Method (CPCI-S收录)
会议论文
DESIGN-PROCESS-TECHNOLOGY CO-OPTIMIZATION FOR MANUFACTURABILITY VIII
作者:
Cheng, Qi[1]
;
You, Jun[1]
;
Chen, Yijian[1]
收藏
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浏览/下载:3/0
  |  
提交时间:2019/04/12
FinFET
device variability
fin-width roughness (FWR)
line-edge roughness (LER)
Poisson's equation
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