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科研机构
沈阳自动化研究所 [3]
内容类型
会议论文 [3]
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2021 [1]
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2018 [1]
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A Charge Density Model of Silicon-nanowire GAA MOSFET Incoroperating the Source-drian Tunneling Effect for IC Design
会议论文
Guilin, China, June 4-6, 2021
作者:
Cheng H(程贺)
;
Zhang C(张超)
;
Liu TF(刘铁锋)
;
Xie C(谢闯)
;
Yang ZJ(杨志家)
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2022/02/04
ballistic transport
compact model
integrated-cricuit design
sub-7 nm GAA MOSFET
the source-drain tunneling
Analytic Compact Model of Short-channel Cylindrical ballistic GAA MOSFET Including SDT effect
会议论文
Zhangjiajie, China, April 24-26, 2020
作者:
Cheng H(程贺)
;
Zhang C(张超)
;
Liu TF(刘铁锋)
;
Yang ZJ(杨志家)
;
Zhang ZP(张志鹏)
收藏
  |  
浏览/下载:10/0
  |  
提交时间:2020/08/01
Compact Model of Short-channel Cylindrical ballistic Gate-All-Around MOSFET Including the Source-to-drain Tunneling
会议论文
Male, Maldives, March 6-8, 2018
作者:
Liu ZF(刘志峰)
;
Yang ZJ(杨志家)
;
Cheng H(程贺)
;
Zhang ZP(张志鹏)
收藏
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浏览/下载:39/0
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提交时间:2018/07/01
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