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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 内容类型：会议论文     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Luminescence properties of InGaN-based dual-wavelength light-emitting diodes with different quantum-well arrangements 会议论文 作者:  Zhang, Minyan;  Yun, Feng;  Li, Yufeng;  Ding, Wen;  Wang, Hong 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/02 InGaN  light-emitting diodes  quantum wells   Transient THz Photoconductivity in Dynamically Screened InGaN/GaN Quantum Wells 会议论文 38th International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves (IRMMW-THz), 2013-09-01 作者:  Jin, Z.[1];  Lahmann, S.[2];  Rossow, U.[3];  Hangleiter, A.[4];  Bonn, M.[5] 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/04/30 simulation of ingan/gan light-emitting diodes with patterned sapphire substrate 会议论文 12th International Conference on Numerical Simulation of Optoelectronic Devices, NUSOD 2012, Shanghai, China, August 28, 2012 - August 31, 2012 Sheng Yang; Xia Chang Sheng; Simon Li Z.M.; Cheng Li Wen 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2013/09/22 Computer simulation  Efficiency  Extraction  Finite difference time domain method  Gallium nitride  Optoelectronic devices  Sapphire  Semiconductor quantum wells  Three dimensional computer graphics  Time domain analysis