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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 内容类型：会议论文     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 The influence of substrate nucleation on HVPE-grown GaN thick films - art. no. 684105 会议论文 conference on solid state lighting and solar energy technologies, beijing, peoples r china, nov 12-14, 2007 Wei, TB; Duan, RF; Wang, JX; Li, JM; Huo, ZQ; Zeng, YP 收藏  |  浏览/下载：37/0  |  提交时间：2010/03/09 HVPE  GaN  nitridation  polarity  etching   Hydrogen behavior in GaN epilayers grown by NH3-MBE 会议论文 11th international conference on molecular beam epitaxy (mbe-xi), beijing, peoples r china, sep 11-15, 2000 Kong MY; Zhang JP; Wang XL; Sun DZ 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2010/11/15 impurities  molecular beam epitaxy  nitrides  semiconducting III-V materials  GALLIUM NITRIDE  SAPPHIRE SUBSTRATE  DEFECTS  HETEROSTRUCTURE  SEMICONDUCTORS  STRESS   Indium-doping enhanced two-dimensional-electron-gas performance in AlGaN/GaN heterostructures 会议论文 international workshop on nitride semiconductors (iwn 2000), nagoya, japan, sep 24-27, 2000 作者:   收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2010/10/29 AlGaN/GaN heterostructures  In-doping  2DEG  electron sheet density  X-ray diffraction  etching  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  PHASE EPITAXY  MOBILITY  GROWTH  FILMS