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| 面向纳米观测与操作的样品无损逼近装置 专利
专利类型: 实用新型, 专利号: CN201047823Y, 申请日期: 2008-04-16, 公开日期: 2008-04-16
作者: 缪磊 ; 周磊; 董再励; 刘柱; 王越超
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| Scale template used for pyramidal tract X-rays CT system is prepared through inlaying 4 point-shaped metallic balls in the 4 apex points of a quadrate on an organic glass or drilling 4 orifices at said 4 apex points on a metallic plate. 专利
申请日期: 2005-01-01, 公开日期: 2005-11-09
作者: SUN Y HOU Y ZHAO F
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| Double hetero-junction type semiconductor light emitting element 专利
专利号: JP1992133479A, 申请日期: 1992-05-07, 公开日期: 1992-05-07
作者: KATSUI AKINORI; KAWAGUCHI NOBUHIRO; OKI AKIRA
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| Semiconductor laser device 专利
专利号: JP1991283479A, 申请日期: 1991-12-13, 公开日期: 1991-12-13
作者: OTOSHI SO; KAYANE NAOKI
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| Semiconductor laser device 专利
专利号: JP1990081491A, 申请日期: 1990-03-22, 公开日期: 1990-03-22
作者: KUBOTA MASAYUKI
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| Integrated type semiconductor laser device 专利
专利号: JP1989316982A, 申请日期: 1989-12-21, 公开日期: 1989-12-21
作者: SHINOZAKI KEISUKE; FURUKAWA RYOZO; WATANABE NOZOMI
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| Visible light emitting semiconductor laser device 专利
专利号: JP1989184977A, 申请日期: 1989-07-24, 公开日期: 1989-07-24
作者: KUKIMOTO HIROSHI
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| Visible light emitting semiconductor laser device 专利
专利号: JP1989184978A, 申请日期: 1989-07-24, 公开日期: 1989-07-24
作者: KUKIMOTO HIROSHI
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| Semiconductor light source 专利
专利号: JP1983140176A, 公开日期: 1983-08-19
作者:
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| Visible oscillation semiconductor laser 专利
专利号: JP1982085280A, 公开日期: 1982-05-27
作者: MITA AKIRA
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