|
已选(0)清除
条数/页： 排序方式：
|
| LiAlH4/碳包覆金属纳米粒子(Ni-Co@C)复合储氢材料及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201210181590.3, 申请日期: 2015-06-10, 公开日期: 2015-06-10
作者: 孙立贤; 焦成丽; 张箭; 徐芬; 司晓亮
  收藏 | 浏览/下载：18/0 | 提交时间：2015/11/16 |
| Family of discretely sized silicon nanoparticles and method for producing the same 专利
专利号: US6743406, 申请日期: 2004-06-01, 公开日期: 2004-06-01
作者: NAYFEH, MUNIR H.; BELOMOIN, GENNADEY; RAO, SATISH; THERRIEN, JOEL; CHAIEB, SAHRAOUI
收藏 | 浏览/下载：7/0 | 提交时间：2019/12/24 |
| 記録レーザパワーのキャリブレーション方法 专利
专利号: JP3159454B2, 申请日期: 2001-02-16, 公开日期: 2001-04-23
作者: 河野 睦; 山崎 誠一
收藏 | 浏览/下载：7/0 | 提交时间：2019/12/23 |
| 半導体レーザの出力制御装置 专利
专利号: JP2649528B2, 申请日期: 1997-05-16, 公开日期: 1997-09-03
作者: 千間 俊孝; 今村 友厚; 島田 和之
收藏 | 浏览/下载：19/0 | 提交时间：2019/12/23 |
| 超格子の混晶化法 专利
专利号: JP2533581B2, 申请日期: 1996-06-27, 公开日期: 1996-09-11
作者: 宮澤 丈夫
收藏 | 浏览/下载：12/0 | 提交时间：2019/12/26 |
| 半導体レ-ザの製造方法 专利
专利号: JP1994032335B2, 申请日期: 1994-04-27, 公开日期: 1994-04-27
作者: 井手 雄一
收藏 | 浏览/下载：7/0 | 提交时间：2020/01/18 |
| Method of forming compound semiconductor structure 专利
专利号: JP1991195071A, 申请日期: 1991-08-26, 公开日期: 1991-08-26
作者: AKITA KENZO; TANETANI MOTOTAKA; SUGIMOTO YOSHIMASA; HIDAKA HIROMI
收藏 | 浏览/下载：12/0 | 提交时间：2020/01/18 |
| Manufacture of inner current constriction type semiconductor laser element 专利
专利号: JP1991064980A, 申请日期: 1991-03-20, 公开日期: 1991-03-20
作者: MATSUBARA KUNIO
收藏 | 浏览/下载：20/0 | 提交时间：2020/01/18 |
| Multigradation output control apparatus of laser diode 专利
专利号: JP1990139260A, 申请日期: 1990-05-29, 公开日期: 1990-05-29
作者: SENMA TOSHITAKA
收藏 | 浏览/下载：10/0 | 提交时间：2019/12/31 |
| Manufacture of semiconductor quantum box structure 专利
专利号: JP1990031479A, 申请日期: 1990-02-01, 公开日期: 1990-02-01
作者: TAKANO SHINJI
收藏 | 浏览/下载：10/0 | 提交时间：2019/12/31 |
