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| Iron-silicon-aluminum ternary amorphous thin film used for manufacturing narrow band-gap semiconductor apparatus e.g. infrared detector, comprises iron-silicon-aluminum alloy, and has band gap width of preset range. 专利
申请日期: 2013-01-01, 公开日期: 2013-04-03
作者: LI X ZHENG Y DONG C
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| Opto-electronic device with transparent high lateral conductivity current spreading layer 专利
专利号: US6037603, 申请日期: 2000-03-14, 公开日期: 2000-03-14
作者: NELSON, ANDREW WILLIAM
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| Semiconductor laser element 专利
专利号: JP1991034386A, 申请日期: 1991-02-14, 公开日期: 1991-02-14
作者: NOGUCHI HIDEAKI
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| Semiconductor laser device 专利
专利号: JP1990114584A, 申请日期: 1990-04-26, 公开日期: 1990-04-26
作者: SHIMA AKIHIRO
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| Semiconductor light emitting device 专利
专利号: JP1988221689A, 申请日期: 1988-09-14, 公开日期: 1988-09-14
作者: ISOZUMI SHOJI
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| Semiconductor laser 专利
专利号: JP1988188986A, 申请日期: 1988-08-04, 公开日期: 1988-08-04
作者: UENO SHINSUKE; ASATA SUSUMU
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| Semiconductor laser 专利
专利号: JP1988124490A, 申请日期: 1988-05-27, 公开日期: 1988-05-27
作者: UENO SHINSUKE
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| Semiconductor light emitting element 专利
专利号: JP1988077187A, 申请日期: 1988-04-07, 公开日期: 1988-04-07
作者: ONAKA SEIJI; SASAI YOICHI; TSUJII HIRAAKI; TERASHIGE TAKASHI
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| Optical and electronic integrated circuit and manufacture thereof 专利
专利号: JP1987274790A, 申请日期: 1987-11-28, 公开日期: 1987-11-28
作者: HASUMI YUJI; TENMIYO JIRO; ASAHI HAJIME; YUKIMAE ATSUO
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| Semiconductor light emitting device 专利
专利号: JP1987002676A, 申请日期: 1987-01-08, 公开日期: 1987-01-08
作者: NAKAJIMA YASUO
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