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Migration enhanced epitaxy fabrication of active regions having quantum wells 专利
专利号: US20090034571A1, 申请日期: 2009-02-05, 公开日期: 2009-02-05
作者:  JOHNSON, RALPH H.
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Migration enhanced epitaxy fabrication of quantum wells 专利
专利号: US7378680, 申请日期: 2008-05-27, 公开日期: 2008-05-27
作者:  JOHNSON, RALPH H.;  BLASINGAME, VIRGIL J.
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LOW TEMPERATURE GROWN LAYERS WITH MIGRATION ENHANCED EPITAXY ADJACENT TO AN InGaAsN(Sb) BASED ACTIVE REGION 专利
专利号: WO2006026610A3, 申请日期: 2006-07-06, 公开日期: 2006-07-06
作者:  JOHNSON RALPH
收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/31
Method for producing II-VI compound semiconductor epitaxial layers having low defects 专利
专利号: US6001669, 申请日期: 1999-12-14, 公开日期: 1999-12-14
作者:  GAINES, JAMES MATTHEW;  PETRUZZELLO, JOHN
收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/12/26
Ii-vi laser diodes with quantum wells grown by atomic layer epitaxy and migration enhanced epitaxy 专利
专利号: AU1993043788A1, 申请日期: 1993-12-30, 公开日期: 1993-12-30
作者:  CHENG, HWA;  DEPUYDT, JAMES M;  HAASE, MICHAEL A;  QIU, JUN
收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/31
Semiconductor device 专利
专利号: JP1991085784A, 申请日期: 1991-04-10, 公开日期: 1991-04-10
作者:  IMAMOTO HIROSHI;  SATO FUMIHIKO
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System and method using migration enhanced epitaxy for flattening active layers and the mechanical stabilization of quantum wells associated with vertical cavity surface emitting lasers 专利
专利号: US20030219917A1, 公开日期: 2003-11-27
作者:  JOHNSON, RALPH H.;  BLASINGAME, VIRGIL J.
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