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| Ce:YAG/Al2O3 COMPOSITES FOR LASER-EXCITED SOLID-STATE WHITE LIGHTING 专利 专利号: US20190264100A1, 申请日期: 2019-08-29, 公开日期: 2019-08-29 作者: COZZAN, CLAYTON J.; DENBAARS, STEVEN P.; SESHADRI, RAM 收藏  |  浏览/下载:38/0  |  提交时间:2019/12/31 |
| Semiconductor modification process for conductive and modified electrical regions and related structures 专利 专利号: US10211371, 申请日期: 2019-02-19, 公开日期: 2019-02-19 作者: BONAR, JAMES RONALD; VALENTINE, GARETH; GORTON, STEPHEN WARREN; GONG, ZHENG; SMALL, JAMES 收藏  |  浏览/下载:18/0  |  提交时间:2019/12/24 |
| 一种用于LIBS远程探测的望远聚焦收集系统和方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN104374695A, 申请日期: 2015-02-25, 作者: 孙兰香; 辛勇; 丛智博; 齐立峰; 李洋 收藏  |  浏览/下载:38/0  |  提交时间:2015/07/01 |
| Liquid sample laser-induced breakdown spectrum detecting device, has plasma discharge circuit emitting light signal as electric signal to obtain spectrum data, and data analyzing unit connected with signal receiving unit to obtain data. 专利 申请日期: 2015-01-01, 公开日期: 2015-04-08 作者: DING H FENG C HAI R LIU P WU D SUN 收藏  |  浏览/下载:4/0  |  提交时间:2019/12/09 |
| A semiconductor laser device and a method for manufacturing a semiconductor laser device 专利 专利号: GB2494008A, 申请日期: 2013-02-27, 公开日期: 2013-02-27 作者: SILKE TRAUT; STÉPHANIE SAINTENOY 收藏  |  浏览/下载:11/0  |  提交时间:2020/01/18 |
| Method for manufacturing a light-emitting device with a periodic structure in an active region 专利 专利号: US20070253456A1, 申请日期: 2007-11-01, 公开日期: 2007-11-01 作者: YAGI, HIDEKI 收藏  |  浏览/下载:4/0  |  提交时间:2020/01/18 |
| 電磁換能器 专利 专利号: HK1002373A, 申请日期: 2005-07-22, 公开日期: 2005-07-22 作者: ROBERT M. PARK; HWA CHENG; JAMES M. DEPUYDT 收藏  |  浏览/下载:7/0  |  提交时间:2019/12/31 |
| Elektromagnetische Umwandler 专利 专利号: DE69133443D1, 申请日期: 2005-02-24, 公开日期: 2005-02-24 作者: PARK ROBERT M.; DEPUYDT JAMES M.; CHENG HWA 收藏  |  浏览/下载:11/0  |  提交时间:2019/12/31 |
| Integrated heterostructures of group III-V nitride semiconductor materials including epitaxial ohmic contact comprising multiple quantum well 专利 专利号: US6046464, 申请日期: 2000-04-04, 公开日期: 2000-04-04 作者: SCHETZINA, JAN FREDERICK 收藏  |  浏览/下载:10/0  |  提交时间:2019/12/26 |
| 多波長半導体レーザダイオード 专利 专利号: JP2819160B2, 申请日期: 1998-08-28, 公开日期: 1998-10-30 作者: 宮澤 丈夫; 永沼 充 收藏  |  浏览/下载:9/0  |  提交时间:2019/12/24 |