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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 内容类型：专利     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Gallium nitride based semiconductor light-emitting device and method for fabricating the same, gallium nitride based light-emitting diode, epitaxial wafer, and method for fabricating gallium nitride light-emitting diode 专利 专利号: US8488642, 申请日期: 2013-07-16, 公开日期: 2013-07-16 作者:  YOSHIZUMI, YUSUKE;  ENYA, YOHEI;  UENO, MASAKI;  KYONO, TAKASHI 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2019/12/24 Group III nitride semiconductor element and epitaxial wafer 专利 专利号: US8391327, 申请日期: 2013-03-05, 公开日期: 2013-03-05 作者:  YOSHIZUMI, YUSUKE;  ENYA, YOHEI;  UENO, MASAKI;  NAKANISHI, FUMITAKE 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/26 Method of fabricating nitride-based semiconductor laser diode 专利 专利号: US7736925, 申请日期: 2010-06-15, 公开日期: 2010-06-15 作者:  SAKONG, TAN;  SUNG, YOUN-JOON;  PAEK, HO-SUN 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/12/24 Nitride semiconductor laser diode and manufacturing method thereof 专利 专利号: US20100118905A1, 申请日期: 2010-05-13, 公开日期: 2010-05-13 作者:  YABUSHITA, TOMOHITO;  KAWAGUCHI, YASUTOSHI;  UETA, AKIO;  ISHIBASHI, AKIHIKO 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/31 A method of producing a gallium nitride-type light emitting semiconductor device 专利 专利号: EP1804305A1, 申请日期: 2007-07-04, 公开日期: 2007-07-04 作者:  MOTOKI, KENSAKU 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/31 Semiconductor substrate made of a nitride III-V compound semiconductor having a wurtzite-structured crystal structure 专利 专利号: US6501154, 申请日期: 2002-12-31, 公开日期: 2002-12-31 作者:  MORITA, ETSUO;  IKEDA, MASAO;  KAWAI, HIROJI 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/12/24 Semiconductor light emitting device, semiconductor laser device, and method of fabricating semiconductor light emitting device 专利 专利号: US5727008, 申请日期: 1998-03-10, 公开日期: 1998-03-10 作者:  KOGA, KAZUYUKI 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/26