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Group-III nitride devices and systems on IBAD-textured substrates 专利
专利号: US10243105, 申请日期: 2019-03-26, 公开日期: 2019-03-26
作者:  MATIAS, VLADIMIR
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Fabrication of substrates with a useful layer of monocrystalline semiconductor material 专利
专利号: US10002763, 申请日期: 2018-06-19, 公开日期: 2018-06-19
作者:  LETERTRE, FABRICE;  GHYSELEN, BRUNO;  RAYSSAC, OLIVIER
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Full spectrum solid state white light source, method for manufacturing and applications 专利
专利号: US9722154, 申请日期: 2017-08-01, 公开日期: 2017-08-01
作者:  DUTTA, PARTHA S.
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Podłoże do wzrostu epitaksjalnego 专利
专利号: PL224995B1, 申请日期: 2016-08-11, 公开日期: 2017-02-28
作者:  PERLIN PIOTR;  SARZYŃSKI MARCIN;  SUSKI TADEUSZ;  CZERNECKI ROBERT;  LESZCZYŃSKI MICHAŁ
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Semiconductor laser and method of fabricating the same 专利
专利号: US9231372, 申请日期: 2016-01-05, 公开日期: 2016-01-05
作者:  KIM, IN GYOO;  KIM, SANG HOON;  PARK, JAEGYU;  KIM, GYUNGOCK;  JANG, KI SEOK
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Casting process of aluminum-boron master alloy doped polysilicon target, involves doping aluminum boron alloy into polycrystalline silicon material, pre heating, melting, carrying out crystal growth process and cooling. 专利
申请日期: 2016-01-01, 公开日期: 2016-11-23
作者:  LI P REN S TAN Y WANG K JIANG D
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Semiconductor laser device 专利
专利号: US9203216, 申请日期: 2015-12-01, 公开日期: 2015-12-01
作者:  SHIGIHARA, KIMIO
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Two-dimensional photonic crystal laser 专利
专利号: US9130348, 申请日期: 2015-09-08, 公开日期: 2015-09-08
作者:  NODA, SUSUMU;  SAKAGUCHI, TAKUI;  NAGASE, KAZUYA;  KUNISHI, WATARU;  MIYAI, EIJI
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Semiconductor laser device 专利
专利号: US9008141, 申请日期: 2015-04-14, 公开日期: 2015-04-14
作者:  SHIGIHARA, KIMIO
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Epitaxial growth of crystalline material 专利
专利号: US8822248, 申请日期: 2014-09-02, 公开日期: 2014-09-02
作者:  PARK, JI-SOO
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