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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 内容类型：专利     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 一种具有位错折断结构的GaN基激光器外延结构及其生长方法 专利 专利号: CN108808446A, 申请日期: 2018-11-13, 公开日期: 2018-11-13 作者:  邵慧慧;  徐现刚;  开北超;  李沛旭;  郑兆河 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2020/01/18 GaN基金属‑超薄氧化物‑半导体的复合结构纳米激光器及其制备方法 专利 专利号: CN106785913A, 申请日期: 2017-05-31, 公开日期: 2017-05-31 作者:  刘斌;  陶涛;  智婷;  张荣;  谢自力 收藏  |  浏览/下载：0/0  |  提交时间：2020/01/18 一种GaN基激光器和相应制造方法 专利 专利号: CN105356297A, 申请日期: 2016-02-24, 公开日期: 2016-02-24 作者:  李亮;  刘应军;  汤宝;  王任凡 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/31 GaN基外延层的大面积、低功率激光剥离方法 专利 专利号: CN1779900A, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2006-05-31 作者:  张国义;  康香宁;  陈志忠;  陈皓明;  秦志新 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2020/01/18 一种对Ⅲ-Ⅴ氮化物进行n型和p型掺杂的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910241697.0, 公开日期: 2011-08-31 纪攀峰; 李京波; 闫建昌; 刘乃鑫; 刘喆; 王军喜; 李晋闽 收藏  |  浏览/下载：85/0  |  提交时间：2011/08/31