CORC

在结果中检索

CORC

浏览/检索结果: 共42条，第1-10条 帮助

限定条件    
已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
Semiconductor light emitting device 专利
专利号: US9196808, 申请日期: 2015-11-24, 公开日期: 2015-11-24
作者:  TAKAO, MASAKAZU;  SAKAI, MITSUHIKO;  SENDA, KAZUHIKO
收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2020/01/13
Laser diode and method for fabricating the same 专利
专利号: US6395573, 申请日期: 2002-05-28, 公开日期: 2002-05-28
作者:  JANG, JUN HO;  SUNG, KANG HYUN
收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/24
J—FET型トランジスタ装置 专利
专利号: JP3036600B2, 申请日期: 2000-02-25, 公开日期: 2000-04-24
作者:  鈴木 克弘;  矢島 弘義;  嶋田 潤一;  加藤 尚範;  下山 謙司
收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/12/26
半導体レーザ装置及びその製造方法 专利
专利号: JP2827130B2, 申请日期: 1998-09-18, 公开日期: 1998-11-18
作者:  尾内 敏彦
收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2020/01/13
Buried heterostructure lasers using mocvd growth over patterned substrates 专利
专利号: CA2084820C, 申请日期: 1997-12-09, 公开日期: 1993-07-25
作者:  BERGER PAUL RAYMOND;  DUTTA NILOY KUMAR;  HOBSON WILLIAM SCOTT;  LOPATA JOHN
收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/12/26
GaAs/AlGaAs半導体構造のミラーファセットをエッチングする方法 专利
专利号: JP2711336B2, 申请日期: 1997-10-31, 公开日期: 1998-02-10
作者:  ペーテル·ブーフマン;  ハンス―ペーテル·デイードリツヒ;  ペーテル·フエイガー
收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/26
半導体発光装置の製造方法 专利
专利号: JP1995001813B2, 申请日期: 1995-01-11, 公开日期: 1995-01-11
作者:  岩崎 保;  柏 享;  岡本 孝太郎
收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2020/01/18
Method of making a selective compositional disordering of a GaAs based heterostructure by the in-diffusion of Au through a single crystal, epitaxially grown Ge film 专利
专利号: US5346856, 申请日期: 1994-09-13, 公开日期: 1994-09-13
作者:  JONES, KENNETH A.;  LEE, HOWARD S.
收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/24
Process for the selective growth of GaAs 专利
专利号: US5185289, 申请日期: 1993-02-09, 公开日期: 1993-02-09
作者:  
收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2020/01/18
Process for the selective growth of GaAs 专利
专利号: EP0348540B1, 申请日期: 1993-01-20, 公开日期: 1993-01-20
作者:  MEIER, HEINZ PETER;  GIESON, EDWARD A. VAN;  WALTER, WILLI
收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/12/24

©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by CSpace