|
已选(0)清除
条数/页： 排序方式：
|
| Universal gas phase chromatography-mass spectrometry full quantitative analysis method, involves calculating characteristic value and characteristic ion for identified peaks of selected characteristic ion for quantitative analysis. 专利
申请日期: 2012-01-01, 公开日期: 2012-11-28
作者: LIN X RUAN Q LI Y XU G LU X
  收藏 | 浏览/下载：6/0 | 提交时间：2019/12/18 |
| Method for performing mass spectrum chromatography-selective ion scanning for chemical profile analysis, involves selecting and characterizing chromatographic peak characteristic of quantitative ion, according to selected packets. 专利
申请日期: 2012-01-01, 公开日期: 2012-11-28
作者: LI Y LIN X RUAN Q LU X XU G
收藏 | 浏览/下载：1/0 | 提交时间：2019/12/18 |
| Direct injection high efficiency nebulizer for analytical spectrometry 专利
专利号: US6166379, 申请日期: 2000-12-26, 公开日期: 2000-12-26
作者: MONTASER, AKBAR; MCLEAN, JOHN A.; KACSIR, JEROLD M.
收藏 | 浏览/下载：4/0 | 提交时间：2019/12/23 |
| Optically bistable semiconductor laser 专利
专利号: JP1990181490A, 申请日期: 1990-07-16, 公开日期: 1990-07-16
作者: NOBUHARA HIROYUKI
收藏 | 浏览/下载：1/0 | 提交时间：2020/01/18 |
| Semiconductor laser device 专利
专利号: JP1989184974A, 申请日期: 1989-07-24, 公开日期: 1989-07-24
作者: OKUDA HAJIME; ISHIKAWA MASAYUKI; SHIOZAWA HIDEO
收藏 | 浏览/下载：33/0 | 提交时间：2020/01/18 |
| Manufacture of semiconductor laser device 专利
专利号: JP1986191092A, 申请日期: 1986-08-25, 公开日期: 1986-08-25
作者: KUBO MINORU; ONAKA SEIJI; HASE NOBUYASU
收藏 | 浏览/下载：7/0 | 提交时间：2020/01/13 |
| Manufacture of semiconductor laser element 专利
专利号: JP1986150291A, 申请日期: 1986-07-08, 公开日期: 1986-07-08
作者: KAJIMURA TAKASHI
收藏 | 浏览/下载：4/0 | 提交时间：2020/01/13 |
| Formation of fabry-perot reflection surface 专利
专利号: JP1986129895A, 公开日期: 1986-06-17
作者: TANAKA HARUO; MUSHIGAMI MASAHITO; NAKADA NAOTARO
收藏 | 浏览/下载：1/0 | 提交时间：2019/12/26 |
| Manufacture of semiconductor light-emitting element 专利
专利号: JP1986064183A, 公开日期: 1986-04-02
作者: KANNO HIKARI
收藏 | 浏览/下载：3/0 | 提交时间：2019/12/26 |
