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Thin film and substrate-removed group III-nitride based devices and method 专利
专利号: US10249786, 申请日期: 2019-04-02, 公开日期: 2019-04-02
作者:  BATRES, MAX;  YANG, ZHIHONG;  WUNDERER, THOMAS
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一种一体化野外作业检测仪箱体结构 专利
专利类型: 发明授权, 专利号: CN105686293B, 申请日期: 2016-06-22, 公开日期: 2017-11-10
作者:  于海;  石刚;  孟威宏;  朱国昕;  王恒之
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Group III nitride compound semiconductor light-emitting device 专利
专利号: US6861663, 申请日期: 2005-03-01, 公开日期: 2005-03-01
作者:  SAWAZAKI, KATSUHISA;  ASAI, MAKOTO;  KANEYAMA, NAOKI
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Semiconductor laser device 专利
专利号: JP1989100988A, 申请日期: 1989-04-19, 公开日期: 1989-04-19
作者:  KASAI SHUSUKE;  TAKIGUCHI HARUHISA;  MORIMOTO TAIJI;  KANEIWA SHINJI;  HAYASHI HIROSHI
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Semiconductor laser crystal 专利
专利号: JP1986096789A, 申请日期: 1986-05-15, 公开日期: 1986-05-15
作者:  UCHIDA MAMORU
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Liquid phase epitaxially growing method and device for gallium arsenide and /or aluminum gallium arsenide 专利
专利号: JP1982056925A, 申请日期: 1982-04-05, 公开日期: 1982-04-05
作者:  KONDOU KAZUO
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METHOD FOR ACHIEVING IMPROVED EPITAXY QUALITY (SURFACE TEXTURE AND DEFECT DENSITY) ON FREE-STANDING (ALUMINUM, INDIUM, GALLIUM) NITRIDE ((Al,In,Ga)N) SUBSTRATES FOR OPTO-ELECTRONIC AND ELECTRONIC DEVICES 专利
专利号: EP1299900A2, 公开日期: 2003-04-09
作者:  FLYNN, JEFFREY, S.;  BRANDES, GEORGE, R.;  VAUDO, ROBERT, P.;  KEOGH, DAVID, M.;  XU, XUEPING
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Maskless lateral epitaxial overgrowth of aluminum nitride and high aluminum composition aluminum gallium nitride 专利
专利号: WO2005041269A3, 公开日期: 2006-03-30
作者:  KATONA THOMAS M;  KELLER STACIA;  ALEJANDRO PABLO CANTU
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