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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 内容类型：专利     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 用于碲镉汞外延生长的数字合金复合衬底及制备方法 专利 专利号: 200410053175.5, 申请日期: 2007-01-01, 公开日期: 2011-09-07 作者:  1何力2陈路3巫艳4于梅芳5王元樟6吴俊7乔怡敏 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2011/09/07 Room temperature 3-5 micrometer wavelength HgCdTe heterojunction emitter 专利 专利号: US5998809, 申请日期: 1999-12-07, 公开日期: 1999-12-07 作者:  CHEN, MEN-CHEE;  BEVAN, MALCOLM J. 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/12/24 半導体レーザ 专利 专利号: JP1996316578A, 申请日期: 1996-11-29, 公开日期: 1996-11-29 作者:  尾江 邦重;  浅井 裕充 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2020/01/18 Manufacture of semiconductor device 专利 专利号: JP1987174928A, 申请日期: 1987-07-31, 公开日期: 1987-07-31 作者:  MARUYAMA KENJI;  UEDA TOMOSHI 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2020/01/13 Manufacture of semiconductor crystal 专利 专利号: JP1986228634A, 申请日期: 1986-10-11, 公开日期: 1986-10-11 作者:  HIROTA KOJI;  YOSHIKAWA MITSUO;  ITO MICHIHARU;  MARUYAMA KENJI 收藏  |  浏览/下载：50/0  |  提交时间：2020/01/18