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| SiGe体区纵向1T-DRAM器件及其制造方法 专利
专利号: CN201310035130.4, 申请日期: 2018-11-06, 公开日期: 2014-08-06
作者: 方雯; 罗军 ; 赵超
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| 适用于DRAM/PRAM混合主存架构的页缓存方法及混合主存架构系统 专利
申请日期: 2017-06-30, 公开日期: 2017-06-30
作者: 徐玉景; 贾智平; 鞠雷; 蔡晓军; 赵梦莹
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| 一种具有信息存储功能的显示器件及其制备方法 专利
专利号: CN105573002A, 申请日期: 2016-05-11, 公开日期: 2016-05-11
作者: 李润伟; 张文斌; 刘钢; 潘亮; 张超超
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| 半导体器件及其制造方法 专利
专利号: CN201010553050.4, 申请日期: 2014-05-21, 公开日期: 2012-05-30
作者: 罗军; 赵超
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| 一种基于混合内存的系统休眠、唤醒方法及装置 专利
申请日期: 2014-01-01,
作者: 郝晓冉; 陈岚; 戴正元
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| 基于内存的数据存储方法、装置、处理器和电子设备 专利
申请日期: 2014-01-01,
作者: 陈岚; 郝晓冉; 李功
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| 基于混合内存的Linux系统的关机、开机方法及系统 专利
申请日期: 2014-01-01,
作者: 郝晓冉; 李功; 陈岚
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| 一种基于PCM的系统启动方法 专利
申请日期: 2014-01-01,
作者: 戴正元; 郝晓冉; 陈岚
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| 一种基于片上网络的DRAM通讯优化方法 专利
申请日期: 2013-11-06,
作者: 任鹏举; 郑南宁; 刘卜; 闵泰; 任晓伟
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| 一种计算机系统的关机方法、开机方法、装置及系统 专利
申请日期: 2013-04-23,
作者: 刘文俊; 陈岚; 郝晓冉
收藏 | 浏览/下载：7/0 | 提交时间：2017/05/27 |
