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科研机构
西安光学精密机械研... [11]
内容类型
专利 [11]
发表日期
1995 [2]
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Procédé de fabrication d'un composant semi-conducteur notamment d'un laser a arête enterrée, et composant fabriqué par ce procédé.
专利
专利号: FR2701165B1, 申请日期: 1995-03-31, 公开日期: 1995-03-31
作者:
GOLDSTEIN, LEON
;
BONNEVIE, DOMINIQUE
;
LEON, GOLDSTEIN
;
DOMINIQUE, BONNEVIE
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提交时间:2019/12/30
Procédé de fabrication d'un composant semi-conducteur notamment d'un laser a arête enterrée, et composant fabriqué par ce procédé.
专利
专利号: FR2701165B1, 申请日期: 1995-03-31, 公开日期: 1995-03-31
作者:
GOLDSTEIN, LEON
;
BONNEVIE, DOMINIQUE
;
LEON, GOLDSTEIN
;
DOMINIQUE, BONNEVIE
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2019/12/30
Procédé de fabrication d'un composant semi-conducteur notamment d'un laser a arête enterrée, et composant fabriqué par ce procédé.
专利
专利号: FR2701165B1, 公开日期: 1995-03-31
作者:
GOLDSTEIN, LEON
;
BONNEVIE, DOMINIQUE
;
LEON, GOLDSTEIN
;
DOMINIQUE, BONNEVIE
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提交时间:2019/12/26
CIRCUIT INTEGRE DE LASERS SEMICONDUCTEURS ET PROCEDE DE REALISATION DE CE CIRCUIT.
专利
专利号: FR2684237A1, 公开日期: 1993-05-28
作者:
GROUSSIN, BERNARD
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提交时间:2019/12/26
Procédé de fabrication d'un composant semi-conducteur notamment d'un laser a arête enterrée, et composant fabriqué par ce procédé.
专利
专利号: FR2701165B1, 公开日期: 1995-03-31
作者:
GOLDSTEIN, LEON
;
BONNEVIE, DOMINIQUE
;
LEON, GOLDSTEIN
;
DOMINIQUE, BONNEVIE
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提交时间:2019/12/26
Procédé de fabrication d'un composant semi-conducteur notamment d'un laser a arête enterrée, et composant fabriqué par ce procédé.
专利
专利号: FR2701165B1, 公开日期: 1995-03-31
作者:
GOLDSTEIN, LEON
;
BONNEVIE, DOMINIQUE
;
LEON, GOLDSTEIN
;
DOMINIQUE, BONNEVIE
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2019/12/26
Procédé de fabrication d'un composant semi-conducteur notamment d'un laser a arête enterrée, et composant fabriqué par ce procédé.
专利
专利号: FR2701165B1, 公开日期: 1995-03-31
作者:
GOLDSTEIN, LEON
;
BONNEVIE, DOMINIQUE
;
LEON, GOLDSTEIN
;
DOMINIQUE, BONNEVIE
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提交时间:2019/12/26
Procédé de fabrication d'un composant semi-conducteur notamment d'un laser a arête enterrée, et composant fabriqué par ce procédé.
专利
专利号: FR2701165B1, 公开日期: 1995-03-31
作者:
GOLDSTEIN, LEON
;
BONNEVIE, DOMINIQUE
;
LEON, GOLDSTEIN
;
DOMINIQUE, BONNEVIE
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提交时间:2019/12/26
Procédé de fabrication d'un composant semi-conducteur notamment d'un laser a arête enterrée, et composant fabriqué par ce procédé.
专利
专利号: FR2701165B1, 公开日期: 1995-03-31
作者:
GOLDSTEIN, LEON
;
BONNEVIE, DOMINIQUE
;
LEON, GOLDSTEIN
;
DOMINIQUE, BONNEVIE
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提交时间:2019/12/26
Procédé de fabrication d'un composant semi-conducteur notamment d'un laser a arête enterrée, et composant fabriqué par ce procédé.
专利
专利号: FR2701165B1, 公开日期: 1995-03-31
作者:
GOLDSTEIN, LEON
;
BONNEVIE, DOMINIQUE
;
LEON, GOLDSTEIN
;
DOMINIQUE, BONNEVIE
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提交时间:2019/12/26
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