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| 一种低噪声窄线宽高功率的单纵模光纤激光器 专利
专利号: CN101447637B, 申请日期: 2010-08-11, 公开日期: 2010-08-11
作者: 徐善辉; 杨中民; 张伟南; 张勤远; 姜中宏
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| 半導体レーザ 专利
专利号: JP2847702B2, 申请日期: 1998-11-06, 公开日期: 1999-01-20
作者: 池田 昌夫; 中野 一志; 戸田 淳
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| 超格子の混晶化法 专利
专利号: JP2533581B2, 申请日期: 1996-06-27, 公开日期: 1996-09-11
作者: 宮澤 丈夫
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| 半導体レーザ及びその製造方法 专利
专利号: JP1996028554B2, 申请日期: 1996-03-21, 公开日期: 1996-03-21
作者: 生和 義人
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| Semiconductor element and manufacture thereof 专利
专利号: JP1992035081A, 申请日期: 1992-02-05, 公开日期: 1992-02-05
作者: KANEKO KUMIKO
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| Semiconductor laser 专利
专利号: JP1989175278A, 申请日期: 1989-07-11, 公开日期: 1989-07-11
作者: NAKANO KAZUSHI; IKEDA MASAO; TODA ATSUSHI
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| Manufacture of semiconductor laser 专利
专利号: JP1989093191A, 申请日期: 1989-04-12, 公开日期: 1989-04-12
作者: YAGI KATSUMI
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| - 专利
专利号: JP1989001951B2, 申请日期: 1989-01-13, 公开日期: 1989-01-13
作者: YAMASHITA SHIGEO; NAKATSUKA SHINICHI; MATSUEDA HIDEAKI; KAJIMURA TAKASHI
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| Formation of wideband gap semiconductor 专利
专利号: JP1988278219A, 申请日期: 1988-11-15, 公开日期: 1988-11-15
作者: EBARA NOBORU
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| Semiconductor light emitting device 专利
专利号: JP1988055996A, 申请日期: 1988-03-10, 公开日期: 1988-03-10
作者: KOBAYASHI KENICHI
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