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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 内容类型：专利     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 一种总剂量辐照对PMOSFET负偏压温度不稳定性影响的试验方法 专利 申请日期: 2018-05-15, 作者:  崔江维;  郑齐文;  魏莹;  孙静;  余学峰 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/08/06 一种总剂量辐照对PMOSFET负偏压温度不稳定性影响的试验方法 专利 申请日期: 2018-05-15, 公开日期: 2020-10-09 作者:  崔江维;  郑齐文;  魏莹;  孙静;  余学峰 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/08/06