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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 内容类型：专利     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 一种应变半导体沟道的形成方法 专利 申请日期: 2011-06-23, 作者:  尹海洲;  骆志炯;  朱慧珑 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2016/09/18 一种绝缘体上超薄应变材料的制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN101958270A, 申请日期: 2011-01-26, 公开日期: 2011-01-26 张苗; 张波; 王曦; 薛忠营; 魏星; 武爱民 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2012/01/06 一种绝缘体上应变硅制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN101916741A, 申请日期: 2010-12-15, 公开日期: 2010-12-15 张苗; 张波; 王曦; 薛忠营; 魏星; 武爱民 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2012/01/06 一种含二价铁的磁共振成像造影剂 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-11-11 李伟生,陈忠宁,文惠敏. 收藏  |  浏览/下载：113/0  |  提交时间：2012/11/11 一种对Cu2+具有选择性识别的磁共振成像造影剂 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-11-11 李伟生,陈忠宁,罗建. 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2012/11/11