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一种碳基半导体器件制备工艺中对衬底进行预处理的方法 专利
专利号: CN103456607A, 申请日期: 2013-12-18,
作者:  史敬元;  金智;  张大勇;  麻芃;  彭松昂
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氮化物半导体自支撑衬底、氮化物半导体自支撑衬底的制造方法以及氮化物半导体装置 专利
专利号: CN101996862A, 申请日期: 2011-03-30, 公开日期: 2011-03-30
作者:  藤仓序章
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曝光装置 专利
专利号: CN101289024A, 申请日期: 2008-10-22, 公开日期: 2008-10-22
作者:  安田悟;  藤本守;  岩佐博司
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内視鏡装置 专利
专利号: JP2008212348A, 申请日期: 2008-09-18, 公开日期: 2008-09-18
作者:  笠井 洋一朗
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デジタル画像形成装置 专利
专利号: JP1996252945A, 申请日期: 1996-10-01, 公开日期: 1996-10-01
作者:  西沢 克彦
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