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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 内容类型：专利     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 一种提高碳基半导体器件迁移率的衬底处理方法 专利 专利号: CN103441223A, 申请日期: 2013-12-11, 作者:  麻芃;  彭松昂;  张大勇;  金智;  史敬元 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2017/05/27