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一种碳基半导体器件制备工艺中对衬底进行预处理的方法 专利
专利号: CN103456607A, 申请日期: 2013-12-18,
作者:  史敬元;  金智;  张大勇;  麻芃;  彭松昂
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一种提高碳基半导体器件迁移率的衬底处理方法 专利
专利号: CN103441223A, 申请日期: 2013-12-11,
作者:  麻芃;  彭松昂;  张大勇;  金智;  史敬元
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一种电力系统六氟化硫气体品质的检测方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910220047.8, 申请日期: 2011-05-25, 公开日期: 2011-05-25, 2011-07-11
李海洋; 仓怀文; 王卫国; 王新
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激光电路形成方法以及形成的激光电路 专利
专利号: CN1332473A, 申请日期: 2002-01-23, 公开日期: 2002-01-23
作者:  G·E·小得基茨;  W·R·亥福纳;  P·帕瑞延斯尔;  P·J·卡罗尔;  R·C·穆萨阿
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