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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 内容类型：专利     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 快速稳定的互补金属氧化物半导体恒电位仪电路 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2010-12-24, 公开日期: 2007, 2010-12-24 杨海钢; 李 策  收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2010/12/24 金属氧化物半导体场效应晶体管阈值电压的测试方法 专利 专利号: CN200710064858.4, 公开日期: 2008-10-01 作者:  李多力;  海潮和;  韩郑生;  周小茵;  赵立新 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2010/11/26