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| 电注入长波长硅基纳米激光器阵列的外延材料制备方法 专利
专利号: CN108418095A, 申请日期: 2018-08-17, 公开日期: 2018-08-17
作者: 王俊; 胡海洋; 成卓; 杨泽园; 尹海鹰
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| 一种硅基量子点激光器材料的MOCVD制备方法 专利
专利号: CN105088181B, 申请日期: 2017-11-28, 公开日期: 2017-11-28
作者: 王俊; 胡海洋; 贺云瑞; 邓灿; 王琦
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| 一种太赫兹波高速调制器及其制作方法 专利
专利号: CN102520532B, 申请日期: 2014-07-09, 公开日期: 2014-07-09
作者: 张雄; 丛嘉伟; 郭浩 ; 崔一平
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| 具有含铟包层的半导体激光器 专利
专利号: CN103403985A, 申请日期: 2013-11-20, 公开日期: 2013-11-20
作者: R·巴特; D·S·兹佐夫; C-E·扎
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| 一种高质量应变的Ge/SiGe超晶格结构及其制备方法 专利
专利号: CN102162137B, 申请日期: 2013-05-29, 公开日期: 2013-05-29
作者: 刘学超; 杨建华; 施尔畏
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| 一种太赫兹波高速调制器 专利
专利号: CN202394003U, 申请日期: 2012-08-22, 公开日期: 2012-08-22
作者: 张雄; 丛嘉伟; 郭浩
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| 包含超晶格隔离层的大晶格失配外延材料缓冲层结构及其制备 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN101814429A, 申请日期: 2010-08-25, 公开日期: 2010-08-25
顾溢; 张永刚
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| Ⅲ族氮化物半导体蓝色发光器件 专利
专利号: CN1431722A, 申请日期: 2003-07-23, 公开日期: 2003-07-23
作者: 范广涵
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| 带有应变补偿层的半导体结构及其制备方法 专利
专利号: CN1347581A, 申请日期: 2002-05-01, 公开日期: 2002-05-01
作者: 高山彻; 马场考明; 詹姆斯S·哈里斯JR.
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| 半导体器件、半导体激光器和高电子迁移率晶体管 专利
专利号: CN1153411A, 申请日期: 1997-07-02, 公开日期: 1997-07-02
作者: 小野健一; 元田隆
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